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May 16, 2023

Selektive mehrschichtige Graphen-Flächensynthese unter Verwendung einer Widerstands-Nanoheizsonde

Wissenschaftliche Berichte Band 13,

Wissenschaftliche Berichte Band 13, Artikelnummer: 7976 (2023) Diesen Artikel zitieren

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Graphen ist aufgrund seiner vielseitigen Eigenschaften und vielfältigen Einsatzmöglichkeiten ein interessantes Material. Allerdings war die Produktion einer der anspruchsvollsten Aspekte von Graphen und mehrschichtigem Graphen (MLG). Die meisten Synthesetechniken erfordern erhöhte Temperaturen und zusätzliche Schritte, um Graphen oder MLG auf ein Substrat zu übertragen, was die Integrität des Films beeinträchtigt. In dieser Arbeit wird die metallinduzierte Kristallisation untersucht, um MLG direkt auf Metallfilmen lokal zu synthetisieren, wodurch ein MLG-Metall-Verbundwerkstoff entsteht, und zwar direkt auf isolierenden Substraten mit einer beweglichen Widerstands-Nanoheizsonde bei viel niedrigeren Temperaturbedingungen (~ 250 °C). Raman-Spektroskopie zeigt, dass die resultierende Kohlenstoffstruktur MLG-Eigenschaften aufweist. Der vorgestellte spitzenbasierte Ansatz bietet eine viel einfachere MLG-Herstellungslösung, indem er die Fotolithographie- und Übertragungsschritte von MLG eliminiert.

Graphen hat sich zu einem der vielversprechendsten Materialien für die Post-Silizium-Ära entwickelt1. Die einfachste Methode zur Gewinnung von Graphen ist die Exfoliation, bei der Kohlenstoffschichten vom Graphit abgelöst werden, bis eine Monoschicht oder mehrere Schichten erhalten werden1. Allerdings ist die Peeling-Technik sehr zeitaufwändig. Eine weitere gängige Methode ist die für die Graphensynthese verwendete chemische Gasphasenabscheidung (CVD), mit der großflächige Graphenschichten erzeugt werden können2,3, sie wird jedoch bei hohen Temperaturen (> 950 °C) durchgeführt. Darüber hinaus ist die mechanische Übertragung von Graphen auf andere Oberflächen zur weiteren Verarbeitung erforderlich. Diese zusätzlichen Schritte führen zu Verunreinigungen, Defekten, Rissen und Falten, wodurch die Eigenschaften von Graphen drastisch beeinträchtigt werden4,5,6,7. Daher ist die übertragungslose Graphensynthese bei niedrigen Temperaturen für großflächige industrielle Anwendungen äußerst wünschenswert, insbesondere um die mechanische Integrität der niedrigen Dielektrizitätskonstante intermetallischer Dielektrika zu bewahren, die üblicherweise bei der Herstellung integrierter Schaltkreise (IC) verwendet werden8,9,10.

Mehrschichtiges Graphen (MLG) ist eine hervorragende Option für Verkabelungen und Elektroden in Anwendungen, die eine hohe elektrische/thermische Leitfähigkeit erfordern. Die Graphensynthese mit einer kontrollierbaren Anzahl von Schichten war möglich, indem die Dicke der verdampften amorphen Kohlenstoffschicht gesteuert und eine metallkatalysierte Kristallisation bei 650–950 °C induziert wurde11. Beim Erhitzen diffundieren die Kohlenstoffatome in das Metall und scheiden sich beim Abkühlen an der Oberfläche ab11. Es wurde auch berichtet, dass sich MLG bei 800 °C12 an der Grenzfläche zwischen dem Metall und dem Substrat bildet. Dieser Austausch zwischen einem Metallkatalysator und einem Material der Gruppe IV wird als Layer Exchange (LE)13 bezeichnet. Die metallinduzierte Kristallisation (MIC) ist eine einfache und effektive Methode, um die Synthesetemperatur von MLG direkt auf Substraten durch Induktion der LE zu senken. Die Synthese erfolgt direkt auf dem Substrat, wodurch zusätzliche Schritte der mechanischen Übertragung von MLG entfallen. Zinn (Sn) hat gegenüber anderen Metallen den Vorteil, dass es aufgrund seines niedrigen Schmelzpunkts eine Synthese an der Oberfläche des Metalls und auf dem isolierenden Substrat bei 250 °C ermöglicht14.

In dieser Arbeit synthetisieren wir MLG direkt auf Sn und auf dem isolierenden Substrat bei niedriger Temperatur (≈250 °C) mit dem MIC-LE14. Anstatt die gesamte Probe zu erhitzen, wird mit einer Widerstands-Nanoheizer-Sondenspitze für eine lokale Erwärmung an einer gewünschten Stelle der Probe gesorgt. Auf Nanoheizspitzen basierende Methoden wurden verwendet, um isolierende Graphenoxidfilme (GO) zu reduzieren und lokal Graphen zu erzeugen15,16,17; Dies ist jedoch das erste Mal, dass eine spitzenbasierte Erwärmung mit MIC-LE für die MLG-Synthese verwendet wird. Diese neue Methode ist mit bestehenden Herstellungsprozessen kompatibel und hat das Potenzial für eine Ausweitung auf Anwendungen mit hohem Durchsatz18,19,20,21,22. Die in dieser Arbeit erreichte direkte, übertragungs- und maskenlose Synthese von MLG auf Metallen und isolierenden Substraten ermöglicht die Integration von MLG in die Complementary Metal-Oxide Semiconductor (CMOS)-Verarbeitung23.

Eine widerstandsbehaftete Nanoheizsonde (Abb. 1a) wird verwendet, um eine direkte Graphensynthese durchzuführen, indem die Probe lokal in einem vorgegebenen Bereich erhitzt wird24. Der Herstellungsprozess für die Widerstands-Nanoheizsonde, dargestellt in Abb. 2 (mit entsprechenden Maskenlayouts/Draufsichten in den Zusatzinformationen, Abb. S.1), beginnt mit einem SOI-Wafer mit einer vergrabenen SiO2-Oxidschichtdicke von 1 µm und einer Dicke von 10 µm Si-Geräteschicht. Eine 300 nm dicke thermische Oxidschicht wird abgeschieden (Schritt 1) ​​und durch Photolithographie strukturiert (Schritt 2). Als nächstes wird Kaliumhydroxid (KOH) zum anisotropen Nassätzen verwendet, um die Spitze zu bilden (Schritt 3). Die Oxidschicht wird mit gepufferter Flusssäure (BHF) weggeätzt (Schritt 4). Eine 100 nm dicke thermische Oxidschicht wird aufgewachsen (Schritt 5). Die Vorderseite des Auslegers wird mit Deep Reactive Ion Etch (DRIE) strukturiert (Schritt 6). Anschließend erfolgt die Metallabscheidung durch Aufdampfen von 10 nm/100 nm dickem Cr/Au, um die Pads und Heizelemente zu bilden (Schritt 7). Der Ausleger wird durch Fotolithographie und Strukturierung der Rückseite des Substrats durch DRIE gebildet, wobei die vergrabene Oxidschicht als Ätzstoppschicht fungiert (Schritt 8). Abschließend wird die Sonde durch Ätzen der vergrabenen Oxidschicht mit BHF freigesetzt (Schritt 9).

(a) SEM-Bilder der hergestellten Widerstands-Nanoheizsonde. (b) Die Temperatur als Funktion der Eingangsleistung.

Nanofabrikationsschritte der Widerstands-Nanoheizsonde.

Der Ausleger enthält an der Spitze ein Mikroheizelement aus Cr/Au mit einem Nennwiderstand von ≤ 10 Ohm. Die Spitzenhöhe beträgt 7,75 µm bei einem Durchmesser von ≈200 nm. Der rechteckige Ausleger ist 100 µm breit, 150 µm lang, 2 µm dick und ruht auf einem 3 mm × 1,4 mm × 0,5 mm großen Chip (Abb. 1a). Der Chip wird auf eine Sondenplatine geklebt, dann werden zwei dünne Kupferkabel mit leitfähigem Epoxidharz auf jedes Pad geklebt und im Ofen bei 90 °C für 20 Minuten ausgehärtet.

Um die Widerstands-Nanoheizsonde zu kalibrieren, wird ein 12-µm-Thermoelement (CHAL0005, Omega Engineering, Norwalk, CT, USA), wie zuvor gezeigt22,24,25, mit der Spitze der Sonde in Kontakt gebracht (siehe Zusatzinformationen, Abb. S.2), während ein Quellenmessgerät (Keithley 2400, Tektronix, Inc., Beaverton, OR, USA) verwendet wird, um Spannung an die Widerstands-Nanoheizsonde zu liefern, um die Temperatur an der Spitze des Auslegers langsam zu erhöhen. Die Temperatur wird als Funktion der Eingangsleistung der Widerstands-Nanoheizsonde aufgezeichnet (Abb. 1b). Bei ~ 520 mW erreicht die Temperatur 250 °C.

Ein System, das eine speziell angefertigte Glaskammer mit einem Durchmesser von 12 Zoll und einer Höhe von 12 Zoll umfasst, wurde für diese Experimente25 so modifiziert, dass es ein flaches optisches Fenster enthält (detailliert in den Zusatzinformationen, Abb. S.3). Durch das Fenster wird die Bewegung der Probe und der Sondenspitze mit Hilfe eines Mikroskops überwacht. Die Kammer enthält vier montierte Anschlüsse. Ein Anschluss dient dem Gasfluss und der Druckentlastung der Kammer durch eine Entlüftung. An einem zweiten Anschluss ist ein Manometer angebracht, um den Druck in der Kammer zu überwachen. Der dritte Anschluss wird zum mechanischen Pumpen von > 1 × 10–3 Torr verwendet, und der letzte Anschluss wird für die Verkabelung zwischen dem motorisierten Tisch und der Sonde zu den externen Netzteilen und einem Computer verwendet. Die Kammer und die Innenteile werden auf einem Vibrationsisolationstisch platziert. Die Teile im Inneren der Kammer bestehen aus einer Halterung, mit der die Sonde an Ort und Stelle gehalten wird, und einem Tisch, der sich in X-, Y- und Z-Richtung bewegen kann. Der Tisch besteht aus zwei Mechanismen, der Hauptplattform für Langstreckenbewegungen (KT-LS28-MV, Zaber, Vancouver, Kanada) und einer zweiten Plattform für kurze, präzise Bewegungen (Tritor 100-XYZ, Piezosystem Jena, Deutschland). Aufgrund der geschlossenen Umgebung sind die Plattformen mit einem Computer verbunden, der ein LabView-Programm (NI, Austin, TX) verwendet, das zum Bewegen der Bühnen verwendet wird. Über die LabView-Software werden die Plattformen bewegt, um die Probe unter der Sonde zu positionieren und an einer ausgewählten Stelle mit der Spitze in Kontakt zu bringen, während sie mit dem optischen Mikroskop überwacht werden. Ein Quellenmessgerät, Keithley 2400, wird verwendet, um die Nanosonde bei Kontakt mit der Probe zu erhitzen.

Der schrittweise Ablauf des Syntheseexperiments ist in Abb. 3 dargestellt. Die Probe besteht aus einer 10 mm × 10 mm großen Si/SiO2-Matrize mit einer SiO2-Dicke von 300 nm (Schritt 1). Zunächst wird 500 nm dickes Sn mit einem Elektronenstrahlverdampfer (CHA SAP-600, CHA Industries, Fremont, CA, USA) auf das Substrat aufgedampft (Schritt 2). Anschließend erfolgt das Sputtern von aC mit einem Sputtercoater (Pelco SC-7, Ted Pella Inc., Redding, CA, USA) für eine Dicke von 60 nm (Schritt 3). Anschließend wird die Probe auf die Plattform des Systems gelegt und die Sonde in einem Abstand von ca. < 3 mm über der Oberfläche der Probe positioniert. Die Glasglocke umschließt die Sonde und die Plattform, und der Druck in der Kammer wird auf unter 1 Torr reduziert (wie im selbstgebauten Systemschema in den Zusatzinformationen, Abb. S.3 zu sehen). Sobald der Basisdruck erreicht ist, strömt Argongas mit einer Geschwindigkeit von 100–130 sccm und erhöht den Druck auf etwa 4 Torr. Nachdem sich der Druck in der Kammer stabilisiert hat, wird das MLG-Syntheseexperiment durch lokales Erhitzen eines bestimmten Bereichs der Probe mithilfe der Widerstands-Nanoheizsonde eingeleitet. Mithilfe von LabView wird die Hauptplattform nahe an die Oberfläche der Probe bewegt. Anschließend wird die vom Piezosystem gesteuerte Sekundärplattform bewegt, um die Probe vorsichtig mit der Sonde in Kontakt zu bringen (Schritt 4).

Schematische Darstellung der In-situ-MLG-Synthese.

Nachdem die Spitze die Oberfläche der Probe berührt, versorgt das Quellenmessgerät den Nanoheizer mit Spannung, um ihn für eine vorgegebene Zeitspanne widerstandsmäßig auf 250 °C zu erhitzen. Der niedrige Schmelzpunkt von Sn, 231,9 °C, hat sich für die MLG-Synthese als wirksam erwiesen14. Wenn das Sn/aC lokal erhitzt wird, löst sich das aC auf und das Sn schmilzt, wodurch die Kohlenstoffatome in das Metall diffundieren. Wenn die Konzentration der Atome übersättigt ist, verteilen sich die Kohlenstoffatome auf der Oberfläche des Metalls und bilden Graphenschichten über und unter dem Metall (Schritt 5). Abschließend wird die Probe in 10 % Salpetersäure (HNO3) getaucht, um das Metall zu entfernen und die Kohlenstoffstruktur anzuheben, sodass die MLG-Struktur darunter zurückbleibt (Schritt 6).

Die Charakterisierung aller Proben erfolgt mittels Raman-Spektroskopie (Renishaw InVia, UK) mit einem HeNe-Laser und einer Wellenlänge von 633 nm. An den Raman-Spektren wird zur Peakanpassung eine Lorentz-Funktionsmodellierung durchgeführt, um die Vollbreite bei halbem Maximum (FWHM) abzuschätzen. Rasterelektronenmikroskopie (REM) – Energiedispersive Spektroskopie (EDS) (JSM-F100, Jeol, Tokio, Japan) wird für die Analyse der chemischen Zusammensetzung bei einer Beschleunigungsspannung von 5 kV verwendet.

Die Position, Form, Intensität markanter Peaks und Intensitätsverhältnisse der Raman-Spektren liefern eine erkennbare Signatur für die eindeutige Identifizierung synthetisierter MLG26,27,28. Unsere erste Raman-Analyse der Probe erkennt einen breiten Peak um 1500 cm−1, was einen gesputterten aC-Film auf Sn vor dem Erhitzen bestätigt27 (siehe ergänzende Informationen, Abb. S.4a).

Das Raman-Spektrum nach 5 Minuten Erhitzungszeit (Abb. 4a) zeigt die charakteristische D-Bande bei 1333 cm-1, die G-Bande bei 1577 cm-1 und die 2D-Bande bei 2681 cm-1, was auf die Bildung von Graphen hinweist3,26,29, 30,31,32,33. Die G- und 2D-Peaks sind gut definierte schmale, scharfe Peaks mit FWHM von 30 cm-1 bzw. 79 cm-1 und einem Verhältnis IG/I2D von 1,85. Bei CVD-Graphen liefern das IG/I2D-Verhältnis und die Form des 2D-Peaks eine Schätzung der Anzahl der auf der Struktur vorhandenen Graphenschichten3,26,33,34. Der Vergleich der erhaltenen Raman-Spektren mit den für CVD-Graphen berichteten Ergebnissen zeigt, dass es sich bei der synthetisierten Struktur um MLG mit 3 bis 5 Schichten handelt3,26,29,33. Der D-Peak hat eine FWHM von 100 cm-1 und ein ID/IG-Verhältnis von ~ 0,41. Die Kristallqualität des MLG wird durch das G-zu-D-Peakintensitätsverhältnis definiert, das proportional zur Anzahl der Defekte ist34,35,36. Der Wert von 0,41 weist auf hochwertiges MLG mit geringer Defektdichte hin33,36.

(a) Raman-Spektrum der Probe bei 5-minütigem Erhitzen mit Einfügung der Oberflächenzusammensetzung, aC in Rot und MLG in Grün. (b) Karte des Raman-ID/IG-Verhältnisses. (c) Raman-IG/I2D-Verhältniskarte.

Die Raman-Oberflächenkartenanalyse (Abb. 4a Einschub) zeigt Regionen von aC (rot) und die Region von MLG (grün) mit einer Länge von ≈13,567 µm und einer Fläche von ≈88,867 µm2. Die Raman-ID/IG-Verhältniskarte (Abb. 4b) zeigt einen großen Bereich mit hochwertigem MLG an, in dem das Verhältnis zwischen 0,30 und 0,45 liegt. Die Karte des Raman-IG/I2D-Verhältnisses (Abb. 4c) zeigt die niedrigsten Werte im zentralen Bereich der Struktur, was die geringste Anzahl an Graphenschichten darstellt. Nach 5 Minuten Erhitzen begannen sich ungerechtfertigte Defekte, Unordnung und Schäden zu bilden (Ergänzende Informationen, Abschnitt „Entwicklung der Raman-Spektren“ und Abb. S.4).

Um MLG auf dem isolierenden Substrat zu erzeugen, wird die Probe 60 Minuten lang erhitzt. Anschließend wird die Probe etwa 24 Stunden lang in 10 %iger Salpetersäure (HNO3) geätzt, um Sn, etwaiges aC und die synthetisierte Struktur auf dem Metall zu entfernen (Abb. 3, Schritt 6). Die aus diesem Bereich erhaltenen Raman-Spektren (Abb. 5a) bestehen aus klar definierten Peaks, was auf die Bildung von MLG auf dem SiO2-Substrat hinweist. Der 2D-Peak bei 2660 cm-1 mit einem geschätzten FWHM von 86 cm-1 und das IG/I2D-Verhältnis von 1,65 sind konsistente Ergebnisse für MLG29,33,36,37,38. Das Vorhandensein des D-Peaks bei 1335 cm-1 mit einem FWHM von 55 cm-1, des offensichtlichen D'-Peaks bei 1616 cm-1 und des (D + D')-Peaks bei 2922 cm-1 mit einem FWHM von 200 cm -1 und das ID/IG-Verhältnis von 1,31 weisen auf eine mäßige Defektdichte, Schädigung und Störung hin34,39,40,41,42.

(a) Raman-Spektrum der Probe direkt auf dem isolierenden Substrat nach 60-minütigem Erhitzen und Ätzen, Einschub des optischen Bildes. (b) SEM mit Angabe der unter EDS untersuchten Punkte und Oberflächen mit den Ergebnissen der Zusammensetzungsanalyse der Oberflächenbereiche Spc_020 und Spc_021. (c) Ergebnisse der Zusammensetzungsanalyse der Punkte Spc_016, Punkt Spc_017 bzw. Punkt Spc_018.

Die Oberfläche des resultierenden MLG auf dem isolierenden Substrat beträgt ≈10,43 µm2 mit einer Länge von ≈5 µm (Einschub Abb. 5a und b). Die mithilfe von EDS (Abb. 5b) ausgewertete chemische Zusammensetzung verschiedener Punkte und Bereiche (Abb. 5c) zeigt das Vorhandensein von Kohlenstoff, Sauerstoff und Silizium (der Kohlenstoffatom-Prozentsatz befindet sich in den Zusatzinformationen, Abschnitt „Kohlenstoff-Atomprozentsatz“). . Es gibt keine Hinweise auf Sn in der Gegend, was bestätigt, dass das Sn effektiv entfernt wurde. Darüber hinaus entspricht das Vorhandensein von Sauerstoff und Silizium dem Substrat SiO2 (Abb. 5b für die Oberflächenbereiche Spc_020 und Spc_021).

Die unregelmäßige Form der MLG-Bereiche (Einschub in Abb. 4a und 5b) kann auf mehrere Faktoren zurückgeführt werden. Das Schmelzen des Metalls und die daraus resultierende Abkühlung während dieses Zeitraums verändern die Morphologie der Oberfläche. Es ist auch möglich, dass die Dicke des Metalls nicht über die gesamte Oberfläche gleichmäßig ist. Darüber hinaus wird die Wärme vertikal und seitlich abgeleitet, was den Interaktionsbereich und damit die Oberfläche des MLG vergrößert. Darüber hinaus könnte die Verwendung einer mechanischen Pumpe und das Fehlen einer aktiven Vibrationsisolierung unerwünschte Vibrationen in das System einleiten, was zu einem instabilen und inkonsistenten Kontakt zwischen der Spitze und der Oberfläche der Probe führen und somit die Heizfläche vergrößern könnte.

In dieser Studie wird eine neue Methode vorgestellt, um MLG direkt und lokal bei niedrigen Temperaturen zu synthetisieren. Mithilfe einer Widerstands-Nanoheizsonde wird amorpher Kohlenstoff auf 250 °C erhitzt, um MLG an der Oberfläche des Sn-Films und direkt auf dem isolierenden Substrat zu bilden. Die Raman-Spektren zeigen die Bildung von MLG nach 5-minütigem Erhitzen. Darüber hinaus deuten Raman-Ergebnisse darauf hin, dass MLG nach 60-minütigem lokalem Erhitzen und anschließendem Ätzen direkt auf dem isolierenden Substrat synthetisiert wird.

Der hier erreichte MLG beträgt 3 bis 5 Schichten3,26,29,33. Qualität, Größe und sogar die Anzahl der Graphenschichten des MLG-Films können durch Anpassung von Syntheseparametern wie Schichtdicke, Druck, Fluss, Heizzeit und Temperatur weiter optimiert werden. Wir glauben, dass es möglich ist, Graphen-Monoschichten mit einer weiteren Abstimmung verschiedener Syntheseparameter wie Metalldicke, Metallabscheidung, AC-Dicke und -Art der Abscheidung, Heizkontaktfläche und Vibrationsisolierung zu erzeugen.

Die Möglichkeit, MLG an interessierenden Stellen auf einem Substrat bei niedrigeren Temperaturen direkt zu synthetisieren, macht In-situ-MIC zu einer praktischen Methode für die Synthese auf Metallen und Substraten. Das direkte Aufwachsen von Graphen auf der Oberfläche von Elektroden bietet Schutz vor Oxidation und Korrosion und ermöglicht die Einbeziehung von Mikro-/Nanofertigungsschritten außerhalb des Vakuums in dreidimensionale Architekturen. Darüber hinaus könnte diese Methode auf andere Halbleitermaterialien der Gruppe IV und Metallkatalysatorkombinationen wie Si-Al, Si-Ag, Ge-Al, Ge-Ag und C-Ni43,44,45,46,47,48 anwendbar sein. Darüber hinaus kann der Durchsatz durch den Einsatz thermischer Sondenspitzenarrays49 erheblich verbessert werden. Für eine gleichmäßige Erwärmung oder für verschiedene Anwendungen, die größere Flächen erfordern, können andere Sondendesigns implementiert werden, beispielsweise flach geformte Spitzen50. Insgesamt glauben wir, dass die vorgestellte Methode eine kostengünstige, schnelle und kontrollierte Herstellung von Geräten, Verbindungen und Elektroden auf Graphenbasis für weit verbreitete Mikro-/Nanoelektronikanwendungen ermöglicht.

Alle Daten zu dieser Arbeit können auf begründete Anfrage bei den entsprechenden Autoren angefordert werden.

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Referenzen herunterladen

Diese Arbeit wurde teilweise von den National Institutes of Health (U24DK112331-03S1 Diversity Supplement (AG), R44GM146477 (AG) und NSF (2226930)) unterstützt. Die hier geäußerten Meinungen sind die der Autoren und stellen nicht die offizielle Position des NIH, der NSF oder der Regierung der Vereinigten Staaten dar. Wir möchten Dr. Tao Li und Dr. Weibin Zhu für ihre Hilfe beim Versuchsaufbau und der Nanosonden-Mikrofabrikation danken. Wir danken auch Dr. Alexander Franco für seine Hilfe und Unterstützung beim SEM-EDS-Tool.

Fakultät für Elektrotechnik und Informationstechnik, Florida International University, Miami, FL, 33172, USA

Ingrid Torres & Nezih Machete

Fakultät für Maschinenbau, Worcester Polytechnic Institute, Worcester, MA, 01609, USA

Sadegh Mehdi Aghaei

Icahn School of Medicine am Mount Sinai, New York, NY, 10029, USA

Angelo Gaitas

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AG konzipierte das Experiment, entwarf/baute den Versuchsaufbau, entwarf/fertigte die mikrobearbeiteten Sensoren, plante, überwachte das Projekt, war Mitautor des Manuskripts; NP konzipierte das Experiment und LE Chemistry, unterstützte und half bei der Überwachung des Projekts und war Co-Autor des Manuskripts. IT und SMA entwarfen, bereiteten vor, führten die Experimente durch, bauten den Aufbau und die Sonden zusammen, analysierten die Ergebnisse und verfassten das Manuskript mit Kommentaren anderer Autoren. Alle Autoren haben das endgültige Manuskript gelesen, bearbeitet und genehmigt.

Korrespondenz mit Ingrid Torres oder Angelo Bagpipes.

Die Autoren geben an, dass keine Interessenkonflikte bestehen.

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Nachdrucke und Genehmigungen

Torres, I., Aghaei, SM, Pala, N. et al. Selektive mehrschichtige Graphen-Flächensynthese unter Verwendung einer Widerstands-Nanoheizsonde. Sci Rep 13, 7976 (2023). https://doi.org/10.1038/s41598-023-34202-y

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Eingegangen: 07. Juni 2022

Angenommen: 25. April 2023

Veröffentlicht: 17. Mai 2023

DOI: https://doi.org/10.1038/s41598-023-34202-y

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